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物理學獎的。同情gif。】
諾伊斯：【我不需要你的同情！】
江維：“諾伊斯，他得獎感言裡真這麼說過。”
諾伊斯：【好吧，繼續不需要同情！哼！靠個鬼的積體電路，從電氣工程師變成物理學家的人。】
基爾比：【攤手gif，物理學家真香。】
諾伊斯：【哈哈大笑gif，作為英特爾的創始人，我有錢，真香。】
基爾比：【我又不愛錢，呵呵gif】
諾伊斯：【……】
江維：“別bb了，一群機器人，趕緊幹活！把觀眾的問題給解釋了！誰先來！”
基爾比：【我先來，畢竟我發明積體電路早啊，哈哈哈哈。】
諾伊斯：【呵呵，有什麼好得意的。這事兒你不干我不幹，早晚總會有人幹出來的。你不過就是早了那麼一丟丟。】
基爾比：【呃，諾伊斯，其實咱們的技術都是源自貝爾實驗室不是麼。
1947年我大學畢業，學的是電子工程，畢業後去了全球聯通在密爾沃基的中心實驗室。
1952年，我們公司獲得了貝爾實驗室生產電晶體的專利許可。
我被派到貝爾實驗室做為期兩週的技術研討，在這個過程中我學習到很多電晶體制造工藝和理論知識。
回到公司後，我組建了三人研發小組，製造了一些電晶體制作裝置並作出了電晶體。
1956年年初，我參加了貝爾實驗室的第三次研討會。這次討論會的主題，矽基晶體三極體和雜質在晶體中的擴散技術，對我產生了深遠的影響。
第一，使我更加堅信，矽才是半導體未來的方向。但我所在的中心實驗室對矽材料並不重視，不願投入。這導致了我在實驗室工作十年後決定跳槽。
第二，擴散技術，是實現半導體摻雜的關鍵技術，這項技術至今還是電晶體制造的基礎。
於是，1958年5月，我跳槽去了德州儀器。
當時的德州儀器是國防部電子裝置微型化計劃的合作伙伴，公司的阿德科克小組正在為軍方做一個叫“微型模組”，即平面電子器件的專案。
我看到這個專案就在想能不能有更好的解決方案，讓電子模組小型化。
我將微型電路的工藝分為三類：
第一種方法，把各種器件做成同樣大小和形狀，使電路連線變得簡單。
第二種，用各種薄膜來製造各種器件，不能用薄膜做的器件後面再加上去。
第三種，也是更徹底的方法，就是在一種材料中製造出全新的結構，並用它做出一個完整的電路。
當時我選了第三種方法進行研究，即在一種材料上做出所有的電路器件。
當時貝爾實驗室已經開發出來了擴散技術和物理氣相沉澱技術，我認為這兩項技術是做出這種微型電路的關鍵。
我將這個設想與阿德科克小組的同事說了，他們同意了我的想法，但覺得這件事挺麻煩的，不過還是讓我先嚐試一下。
於是我先用矽做出了分立的電阻、電容、二極體和三極體，然後將它們連線成一個觸發電路。
1958年8月28日，這個嘗試成功了！
既然能用單一材料製作這些分立器件，就能將這些器件做到一塊材料上！
當時德州儀器有幾種鍺器件，能先把金屬蒸發在鍺管的發射極和基極上，再用刻蝕技術做成接觸點然後連線起來。
我得到了幾塊這樣的鍺晶片，所以著手用鍺進行積體電路的製作。
兩週後我做了三塊這樣的電路，1958年9月12日我們的實驗獲得了成功，現代電子工業第一個用單一材料製造的晶片就這樣誕生了。】
