第455章 EBL光刻機開始測試（明天開始正常更新） (第3/4頁)
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整個系統包括控制機櫃、真空泵系統、冷卻水迴圈系統、減振臺座、操作控制檯等，全套系統重約10噸。
算上這些配套裝置，一臺EbL光刻機就不止十平方米了，通常需要至少50平方米的，要求室內淨高達到4米，且對地面穩定性有較高要求，重新打了地基，免得工作時影響了工作精度。
當然，哪怕精度是相對性的，理論上跟地面震動沒有影響，但奈米級裝置要求就比較高。
除了避震要求外，還要求恆溫：20±1c
-相對溼度：45±5%
潔淨度：class 100-1000級
以及要求良好的電磁防護。
大概一個小時後，
郝強也沒有發現什麼大問題，但還是有些擔憂，讓組長開始測試。
隨著組長的指令，測試正式開始。
實驗室內的氣氛瞬間變得緊張而激動，所有人都屏息凝視，目光緊盯著裝置的反應。
隨著啟動按鈕的按下，裝置發出輕微的嗡鳴聲，逐漸運轉起來，顯示屏上開始閃爍著資料。
“裝置正常運轉！”組長略有興奮，說明路子是對的。
當然，要測試自然要拿實物矽片進行。
實驗室裡已經準備好了許多片塗上光刻膠的矽片，EbL光刻機與傳統的光刻機不同，它無需掩膜版,直接寫入。
光刻機的工作原理，簡單來說，就是把矽片當成一塊黑板，然後在黑板上畫電路圖。
而紫外線或電子束（EbL光刻機）就是粉筆，粉筆的粗細就是線條的粗細。
由於黑板大小固定，要想畫更多的圖，自然是粉筆越細越好，但相應地對技術要求更高，就越難畫。
黑板上的一層膜，對應光刻膠。
畫完圖後，將矽片浸泡在腐化劑中，失去保護膜的部分被腐蝕掉後形成電路。
用專業的角度來說，
EbL光刻機與紫光光刻機有一些不同。
首先，在機器頂部的電子槍區域，場發射電子源開始工作。
在強大的電場作用下，尖銳的鎢針尖端釋放出高能電子束。
這些高速電子束就像一支訓練有素的微觀部隊，整齊劃一地向下加速。
隨後，電子束進入複雜的電磁透鏡系統。
多組精密的電磁線圈產生磁場，就像一個個無形的透鏡，將電子束逐步聚焦成極細的光點。
這束光點的直徑可以細到奈米級別，目前工藝製程是工藝製程14nm。
1毫米等於奈米（百萬）。
而人類的一根頭髮絲的直徑大約為0.04～0.05毫米，即4萬到5萬奈米。
在偏轉系統中，精密的偏轉線圈控制著電子束的運動軌跡。
透過計算機程式的精確控制，電子束能夠在矽片表面進行精確定位和掃描，就像一支精確的奈米畫筆。
在真空室底部，覆蓋著光刻膠的矽片正靜靜等待著。
當高能電子束擊中光刻膠表面時，發生劇烈的化學反應。
被電子束照射過的區域，光刻膠的分子結構發生改變，為後續的顯影過程做好準備。
這就是EbL光刻機的曝光過程。
此時，
眼前這臺造價昂貴的裝置，正在以一種近乎完美的方式運轉著，將公司晶片設計部門的設計圖紙青龍8124轉化為奈米級的實體結構。
它就像一位精確的畫家，用電子為筆，在矽片上描繪出積體電路的藍圖。
隨著加工的進行，實驗室裡迴盪著裝置運轉的輕微嗡鳴聲。
車載晶片青龍8124已經在計算機上驗證與測試過了，郝強已經驗收，完全沒問題了。
如今，就差製造這一步。
以目前的運轉情況來說，只能說是初步成功。
螢幕上也呈現了畫圖過程，但實際情況，那是肉眼看不到的，需要拿去測試。
EbL001 最大產能為150wph，即處理一個矽片，只需要24秒左右，效率非常高。
當然，設計圖越複雜，耗費時間就越長。
理論來說，EbL光刻機的曝光速度很慢，但郝強的技術商店就解決了這個問題。
沒過多久，
第一片矽片曝光完成，接著繼續第二個矽片曝光，直到曝光十個矽片。
“把後續的顯影、封裝等工藝完成後進
