重生之我要上頭條

第一千一百七十九章 新晶片的優勢 (第1/2頁)

新晶片的設計，是非常完美先進的。

而且，新晶片採用的是新材質，而不是矽，效能表現也不一樣。

正因如此，新晶片才可以在製程工藝遠遠落後的情況下，卻是全方位超越了銳龍RX和酷睿ik。

碳基積體電路技術，不是現在才出現。

未來晶片實驗室並不是第一家發現這種技術，而是之前就有實驗室發現了這個技術，只是還沒有做到成熟而已。

早在一年前，就有實驗室透過碳奈米管來製造晶片的核心元器件，也就是電晶體，並且發現由過碳奈米管制作的電晶體，是同尺寸矽材料製作的電晶體的5倍，並且能耗還不到其五分之一。

這是一個重大的發現，也是臻國晶片有可能實現換道超車的突破口。

不過，目前為止，這個技術還只能在實驗室實現，而無法做到商業化，更無法實現量產，需要攻克的技術難關還非常多，也只是多了一個突破口，一個可能有用的發展方向。

但未來晶片實驗室，就把這個實現做成了成品，並且效果還更好。

未來晶片實驗室的新晶片，就是採用碳奈米管制造的碳基晶片，而運算速度做到了同尺寸矽材料製作的電晶體的10倍，其能耗更是不到五分之一。

而且，晶片樣品的製造，以及相關測試資料，也證明了量產和商業化的可能性。

在不久前，英特爾公佈過10nm製程以及首次展示了10nm的晶圓，而他們的10nm製程可以做到每平方毫米1億電晶體，而同為10nm製程的臺積電為每平方毫米4800萬電晶體，三星則是每平方毫米5160萬。

這些資料，就是說英特爾在10nm製程電晶體密度做到了極致，但這10nm製程也是相當難產，至今還沒有正式推出相關產品。

未來晶片實驗室的新晶片在22nm製程，電晶體密度僅做到了每平方毫米2000萬電晶體。

單單是22nm製程電晶體密度，未來晶片實驗室的晶片已經做到了極致，就連英特爾的22nm工藝也只是做到了每平方毫米1530萬電晶體，這幾乎是被認為22nm工藝的極限。

而未來晶片實驗室的新晶片，同樣是22nm製程，卻是可以達到每平方毫米2000萬電晶體，比英特爾的1530萬電晶體，還多了470萬電晶體。

當然，比起英特爾的10nm製程，未來晶片實驗室的22製程就落後許多，電晶體密度僅僅只是英特爾10nm的五分之一。

只不過，得益於設計和材質的不同，同樣數量的電晶體，碳基晶片的效能卻是可以做到十倍以上，也就是新晶片的2000萬電晶體，其效能已經超越了英特爾的1億電晶體，甚至效能增強了一倍。

最重要的是，在效能增強一倍的情況下，碳基晶片的能耗只是後者的五分之一，而且散熱更佳。

效能、能耗、散熱都處於優勢，這才會讓封新立說出全方位超越了銳龍RX和酷睿ik這種話。

如果僅僅只是效能超越的話，那封新立也不可能會說出全方位超越，也只有在任何方面，都優越於對標產品，才算是全方位超越。

這種碳基晶片，對於半導體來說，可是一次技術上的重大跨越。

現在僅僅只是採用22nm製程，碳基晶片就已經全方位超越了對標產品，如果採用更先進的製程，比如英特爾的14nm製程，甚至是10nm製程的話，其效能又會增強到什麼程度，五倍，還是十倍，甚至是更高，這都是有可能的。

正因如此，在測試結果出來後，封新立才會如此激動。

儘管，這項技術並不是封新立團隊開發出來，但他們可以參與其中，並且是親眼見到成果，這就足以讓他們激動不已。

蘇昱也很高興，他之前就自信於這項技術，是屬於跨時代的產品。

如今，成品也證明了這一點，並沒有讓他失望，甚至讓他感到很震撼。

在兌換晶片設計圖紙的時候，蘇昱就已經知道這是屬於十年後的產品，領先現在技術至少十年以上的時間，是屬於真正跨時代的產品。

當然，以現在製造的晶片製程，還遠不到領先十年那麼誇張的程度。

按照晶片的發展速度，就算是矽晶片也只需要一兩年，就可以追上這項技術，或者在英特爾和AMD的實驗室，就已經掌握了這種效能的技術，只是還沒有解決成本問題而已，但也只是需要一兩年的時間，便可以量產出售。